Степень чистоты более чем 99,9999 % от элементарного кремния. Плюс собственное производство ТХС.

Кремний является составной частью многих минералов. И после кислорода является вторым элементов по степени распространения на Земле. Элементарный кремний самой различной чистоты применяется и классифицируется. В солнечной энергетики производится и используется кремний марки для солнечных батарей (Sisg). Загрязнения очень малы, прибл. 0,0001 %. Солнечная энергетика увеличивает использование высокую чистоту, даже до марки для электроники (Sieg).

К сфере услуг EPC Group принадлежит кроме проектировки и поставки оборудования для синтеза ТХС, а также вентиляционного восстановления газа, также установки ректификационной чистоты, для которых «ноу-хау» опытных экспертов всегда востребован. Кроме того, мы поставляем Вам и вспомогательные установки, системы инфраструктуры, а также услуги по планировке строительства для комплексных фабрик. Производственный процесс для ТХС и поликремния, для получения элементарного кремния в промышленных масштабах, диоксид кремния в расплаве уменьшается при помощи активированного угля. Этот кремний достаточно чист для металлургической обработки. Для получения поликристаллов кремния (Sisg), кремний необходимо очищать дальше.

Это происходит, к примеру, при помощи технологического процесса Siemens, который доработала компания EPC. С этой целью металлургический кремний обрабатывают на начальном этапе газообразным хлористым водородом. Из этого образующийся трихлорсилан отделяется из выделившегося водорода и очищается с помощью последующей стадии дистилляции. И в следующем за этим процессе CVD газообразный ТХС направляется в реактор осаждения с 54 горячими кремниевыми стержнями, на которых происходит отложение сверхчистого кремния. Производственный цикл каждого реактора CVD заканчивается прибл. после 4 дней и поликристаллический кремний может быть «собран». В качестве побочных продуктов образуется четыреххлористый кремний, который в реакторе с кипящим слоем снова преобразуется в трихлорсилан и снова подается в производственный цикл. Этот преобразующий реактор может выступать в качестве единственного источника ТХС.

Поликремний и ТХС

ЕРС предлагает установки «под ключ» для Вашего производства PolySi со следующими преимуществами:

  • Степень чистоты больше чем 99.9999%, марка для электроники также возможна, если это необходимо;
  • Понижение общепроизводственных расходов на 1 кг Si посредством продуманной концепции модернизации;
  • Уменьшение общего энергопотребления, например, генерирование электроэнергии;
  • Собственное производство ТХС, основное обеспечение благодаря гидрованное конверсии, включая разделение и ректификацию;
  • Интеграция в существующую производственную площадку и существующую инфраструктуру;
  • Расширение существующей цепочки продуктов (слитки, пластины, ячейки);
  • Улучшенная конкурентоспособность на мировом рынке.

Моносилан

С собственными емкостями, устройствами розлива, распределения. Новые стандарты для полупроводниковой промышленности – субпоставщиков.

 Моносилан по своей химической структуре представляет собой самый простой представитель силана, также называемого Кремнийгидридом. Силан относится к группе химических соединений, которые состоят из кремниевой основы и водорода. Моносилан используется для осаждения кремния и слоев нитрида кремния при производстве полупроводников, или при производстве солнечных батарей.

ЕРС предлагает технологию по недорогому и эффективному производству и складированию моносилана. Применение специальных газов, таких как моносилан, связано с высокими требованиями по чистоте и безопасности оборудования. Мы разрабатываем для наших клиентов индивидуальные и, самое главное, экономически эффективные решения для новой технологии изготовления. С собственными емкостями, устройствами розлива и распределения для моносилана мы предоставляем нашим клиентам новые стандарты для полупроводниковой промышленности – субпоставщиков.


Эксклюзивность ЕРС

Инновационные технологии использующие трихлорсилан и моносилан

Технология производства сверхчистого кремния из металлического кремния основывается на термическом распаде высокочистого ректификационного хлорсилана, в частности от силана к кремнию, при разделении и отводе газообразных побочных продуктов. Обычная коммерчески выгодная технология протекает через производство трихлорсилана в реакторе с кипящим слоем из металлургического сырьевого кремния и хлорводорода с последующей многостадийной ректификацией трихлорсилана до требуемой чистоты для желаемого применения (марка для солнечных батарей, марка для электроники). При использовании трихлорсилана для термического распада до силикона при 900 °C вреакторе CVD (химическое осаждение) образуется смесь из газообразных побочных продуктов, которая должна подготавливаться для повторного подвода в технологический процесс (вентиляционное восстановление газа). Нами же оптимизирован процесс производства сверхчистого кремния через моносилан, что представляет собой существенно более высокую эффективность (температуры прибл. 600 °C, степень разделения приближается к 100% в сравнении с обычными 25%). Получение моносилана осуществляется благодаря диспропорции трихлорсилана с циркуляцией диспропорционирования продуктов, трихлорсилан необходим для обоих процессов.

Вентиляционное восстановление газа, включая участки ректификации

Газовая смесь произведенная из термического распада трихлорсилана в реакторе CVD (химическое осаждение) должна быть снова разложена на составляющие, чтобы можно было установить соответствующие производственные циклы. Тех. процесс с моносиланом не требует таких циклов, вентиляционное восстановление газа является составной частью нашей сферы деятельности.

Опасные материалы для хранения, включая склад моносилана и система обработки

Синтетический газ моносилан сохраняется временно в вакуумоизолированной емкости до дальнейшей переработки или распределения. Емкости имеют, помимо испарителя для повышения давления еще и охлаждающий змеевик внутри емкости, для обеспечения охлаждения. Емкости являются специальной продукцией нашей дочерней фирмы CRYOTEC, которая специализируется на специальном применении криогенной техники.

Оптимизированное управление технологических процессов посредством технологии реактора с кипящим слоем (установки FBR)

Как и при производстве трихлорсилана из сырьевого кремния с HCl в реакторе с кипящим слоем, так и при дипспропорционировании трихлорсилана образуется четыреххлористый кремний, как побочный продукт. Термический распад трихлорсилана в реакторе CVD обеспечивается также избыточное количество четыреххлористого кремния. Четыреххлористый кремний преобразуется через прохождение, так называемого, реактора конверсии с водородом в трихлорсилан. Этот процесс может протекать гомогенно с водородом при прибл. 1.000 °C в графитовых реакторах. Мы используем более элегантный гетерогенный технологический процесс в реакторе с кипящим слоем при подаче кремния.