Das Verfahren zur Herstellung von Reinstsilicium aus metallurgischem Silicium beruht auf der thermischen Zersetzung von hochrein rektifizierten Chlorsilanen bzw. Silanen zu Silicium, unter Abspaltung und Rückführung von gasförmigen Nebenprodukten. Die kommerziell übliche Technologie verläuft über die Herstellung von Trichlorsilan im Wirbelschichtreaktor aus metallurgischem Rohsilicium und Chlorwasserstoff mit anschließender mehrstufiger Rektifikation des Trichlorsilans bis zur erforderlichen Reinheit für die gewünschte Anwendung (solar grade, electronic grade). Bei der Verwendung von Trichlorsilan für die thermische Zersetzung zu Silicium bei 900 °C im CVD-Reaktor (chemical vapor deposition) entsteht ein Gemisch aus gasförmigen Nebenprodukten, welches zur Rückführung in den Prozess aufbereitet werden muss (vent gas recovery). Der von uns optimierte Prozess der Herstellung von Reinstsilicium über Monosilan bietet eine wesentlich höhere Effektivität (Temperaturen von lediglich ca. 600 °C, Abscheidegrad von nahezu 100 % im Vergleich zu 25 %). Die Gewinnung von Monosilan erfolgt durch Disproportionierung von Trichlorsilan mit Kreislaufführung der Disproportionierungsprodukte, Trichlorsilan wird also in beiden Verfahren benötigt.